Hexagonal group IV semiconductor laser at telecom wavelengths and beyond
Résumé:
L'objectif principal du projet Hexalight est de comprendre les propriétés d’un matériau semiconducteur original et assez peu connu : le Germanium (Ge) en phase cristallographique hexagonale. Nous voulons démontrer que son efficacité d'émission lumineuse en fait un concurrent sérieux dans le domaine de la photonique silicium. Pour ce faire, nous allons épitaxier du Ge hexagonal en utilisant des nanofils GaAs wurtzite comme template, étudierons les propriétés fondamentales de ce matériau, démontrerons que le confinement quantique permet d’atteindre les longueurs d’onde télécom et réaliserons un laser avec un nanofil individuel.
Porteurs de projet:
Nicolas CHAUVIN - INL Vittoria PISCHEDDA - ILM Matthieu BUGNET - MATEIS
2022 P1. I. Dudko, T. Dursap, A. D. Lamirand, C. Botella, P. Regreny, A. Danescu, S. Brottet, M. Bugnet, S. Walia, N. Chauvin, and J. Penuelas. Hexagonal Ge Grown by Molecular Beam Epitaxy on Self-Assisted GaAs Nanowires. Crystal Growth & Design (2022). doi :10.1021/acs.cgd.1c00945